RJ1G04BBG
N-Kanal 40V 130A, TO-263AB, Power-MOSFET
RJ1G04BBG
N-Kanal 40V 130A, TO-263AB, Power-MOSFET
RJ1G04BBG ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
130
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0032
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0024
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0032
Total gate charge Qg[nC]
28
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
56
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (TO263AB)
- Pb-freie Beschichtung, RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
