RJ1G10BBG
Nch 40V 280A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
RJ1G10BBG
Nch 40V 280A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
Der RJ1G10BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Leistungsdichte in einem Gehäuse, geeignet für Schaltanwendungen, Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
280
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.00132
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0011
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00132
Total gate charge Qg[nC]
105
Power Dissipation (PD)[W]
192
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
100
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Leistungsstarkes Gehäuse (TO263AB)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
