Nch 60V 120A Leistungs-MOSFET - RJ1L12BGN
RJ1L12BGN ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
×
Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
TO-263AB
Package Size[mm]
10.1x15.1 (t=4.7)
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
120.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0027
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0021
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0027
Total gate charge Qg[nC]
94.0
Power Dissipation (PD)[W]
192.0
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4828
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High power small mold package
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- UIS tested
- Halogen free