RJ1P04BBH
N-Kanal 100V 80A, TO-263AB, Power-MOSFET
RJ1P04BBH
N-Kanal 100V 80A, TO-263AB, Power-MOSFET
Der RJ1P04BBH ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem kleinen Hochleistungsgehäuse, der sich gut zum Schalten eignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0084
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0068
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0084
Total gate charge Qg[nC]
25
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
63
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungsgehäuse (TO263AB)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % UIS-getestet
