RJ1R04BBH
N-Kanal 150 V 40 A, TO-263AB, Power-MOSFET
RJ1R04BBH
N-Kanal 150 V 40 A, TO-263AB, Power-MOSFET
Der RJ1R04BBH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Leistungsfähigkeit, geeignet für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandleranwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.021
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.022
Total gate charge Qg[nC]
25
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
115
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Hochleistungspaket (TO263AB)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
