RJ1R10BBH
N-Kanal 150 V 105 A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
RJ1R10BBH
N-Kanal 150 V 105 A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
Der RJ1R10BBH ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem kleinen Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
105
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0063
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0067
Total gate charge Qg[nC]
86
Power Dissipation (PD)[W]
181
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
170
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungsgehäuse (TO263AB)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Halogenfrei
