ROHM Product Detail

RQ1C065UN
1,5 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ1C065UNTR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

6.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

0.029

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.016

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.029

Total gate charge Qg[nC]

11

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

1.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.0x2.8 (t=0.85)

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