RQ1E075XN
4 V Antriebs-Nch-MOSFET
Für neue Designs nicht empfohlen
RQ1E075XN
4 V Antriebs-Nch-MOSFET
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
7.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
6.8
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
