RQ1E100XN
Nch 30V 10A Kleinsignal-MOSFET
RQ1E100XN
RQ1E100XN
Nch 30V 10A Kleinsignal-MOSFET
MOSFETs werden durch Mikroverarbeitungstechnologien mit ultra-niedrigem Durchlasswiderstand hergestellt und sind so für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet. Die breite Angebotspalette enthält alle kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexer Typen, die auf dem Markt erhältlich sind.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.01
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.01
Total gate charge Qg[nC]
12.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
