RQ3E070BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 7 A

RQ3E070BN ist ein Hochleistungsgehäuse (HSMT8) MOSFET für die Schaltfunktion.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3E070BNTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

15.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.029

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.02

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.029

Total gate charge Qg[nC]

4.6

Power Dissipation (PD)[W]

13.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4009

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・ Low on - resistance.
・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free
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