Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 7 A - RQ3E070BN
RQ3E070BN ist ein Hochleistungsgehäuse (HSMT8) MOSFET für die Schaltfunktion.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Package Size[mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
15.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
4.6
Power Dissipation (PD)[W]
13.0
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4009
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
・ Low on - resistance.・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free