RQ3E080BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 8 A

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3E080BNTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

15

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.016

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.011

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.016

Total gate charge Qg[nC]

7.2

Power Dissipation (PD)[W]

14

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4001

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • High Power Package (HSMT8).
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
  • Halogen Free
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