RQ3E080GN
4,5V Drive N-Kanal-MOSFET
RQ3E080GN
4,5V Drive N-Kanal-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien zu Bauteilen mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
18
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0175
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0129
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0175
Total gate charge Qg[nC]
2.8
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4513
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
・ Niedriger Einschaltwiderstand.・ Hochleistungsgehäuse (HSMT8)
・ Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
