ROHM Product Detail

RQ3E100GN
4.5V N-Kanal-MOSFET mit Treiberschaltung

Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für ein breites Anwendungsspektrum nützlich sind. Eine breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedene Marktanforderungen zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3E100GNTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSMT8 (Single,TB)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

21

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0089

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.012

Total gate charge Qg[nC]

3.9

Power Dissipation (PD)[W]

15

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4504

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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Eigenschaften:

Niedriger Einschaltwiderstand. Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8). Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform. Halogenfrei.
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