RQ3E110AJ
N-Kanal 30V 24A Leistungs-MOSFET
RQ3E110AJ
N-Kanal 30V 24A Leistungs-MOSFET
Der RQ3E110AJ ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem oberflächenmontierbaren Gehäuse für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
24
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.0126
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0088
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0126
Total gate charge Qg[nC]
13.5
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand.
- Kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage (HSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
