RQ3E120BN
N-Kanal 30V 21A Leistungs-MOSFET
RQ3E120BN
N-Kanal 30V 21A Leistungs-MOSFET
Das Leistungsgehäuse RQ3E120BN ist ein mittlerer Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
21
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0066
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0086
Total gate charge Qg[nC]
14
Power Dissipation (PD)[W]
16
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4012
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Leistungsstarkes Gehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
