RQ3E120GN
4,5-V-Ansteuerung N-Kanal MOSFET
RQ3E120GN
4,5-V-Ansteuerung N-Kanal MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikroprozessortechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedene Anforderungen des Marktes zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0091
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0091
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4503
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
・ Niedriger Einschaltwiderstand.・ Hochleistungsgehäuse (HSMT8)
・ Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
