RQ3E130BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 13 A
RQ3E130BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 13 A
RQ3E130BN ist ein Hochleistungsgehäuse MOSFET.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0067
Total gate charge Qg[nC]
16
Power Dissipation (PD)[W]
16
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4014
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
