Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 13 A - RQ3E130BN

RQ3E130BN ist ein Hochleistungsgehäuse MOSFET.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RQ3E130BNTB
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Package Size[mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

39.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0067

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0067

Total gate charge Qg[nC]

16.0

Power Dissipation (PD)[W]

16.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4014

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

N/A