RQ3E130BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 13 A

RQ3E130BN ist ein Hochleistungsgehäuse MOSFET.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3E130BNTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

39

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0067

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0067

Total gate charge Qg[nC]

16

Power Dissipation (PD)[W]

16

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4014

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

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Eigenschaften:

N/A
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