Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 13 A - RQ3E130BN
RQ3E130BN ist ein Hochleistungsgehäuse MOSFET.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Package Size[mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0067
Total gate charge Qg[nC]
16.0
Power Dissipation (PD)[W]
16.0
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4014
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
N/A