RQ3E150BN
N-Kanal 30V 39A Leistungs-MOSFET
RQ3E150BN
N-Kanal 30V 39A Leistungs-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedene Anforderungen des Marktes zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0053
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0053
Total gate charge Qg[nC]
23
Power Dissipation (PD)[W]
17
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4013
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Hochleistungsgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
