RQ3E160AD
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 16 A
RQ3E160AD
RQ3E160AD
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 16 A
MOSFET RQ3E160AD mit Mittelleistung ist für Schaltnetzteile geeignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
16
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.005
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.005
Total gate charge Qg[nC]
25
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Integrierte GS-Schutzdiode
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (HSMT8)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
