ROHM Product Detail

RQ3E160AD
N-Kanal 30V 16A Mittelstrom-MOSFET

Der Mittelstrom-MOSFET RQ3E160AD ist für Schaltnetzteile geeignet.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3E160ADTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8 (Single,TB1)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

16

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.005

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0035

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.005

Total gate charge Qg[nC]

25

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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