RQ3E180AJ
N-Kanal 30V 18A MOSFET für mittlere Leistung
RQ3E180AJ
N-Kanal 30V 18A MOSFET für mittlere Leistung
RQ3E180AJ ist ein MOSFET für Schaltanwendungen mit geringem Einschaltwiderstand.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
18
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.0045
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0045
Total gate charge Qg[nC]
39
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse.
- Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform.
