RQ3E180AJ
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 18 A
RQ3E180AJ
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 18 A
RQ3E180AJ ist ein MOSFET für die Schaltfunktion mit niedrigen Durchlasswiderstand.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
18
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.0045
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0045
Total gate charge Qg[nC]
39
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- Small Surface Mount Package.
- Pb-free lead plating; RoHS compliant.
