ROHM Product Detail

RQ3E180BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 39 A

RQ3E180BN ist ein Hochleistungsgehäuse MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3E180BNTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

39

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0037

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0028

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0037

Total gate charge Qg[nC]

37

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4003

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • High Power Package (HSMT8).
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.
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