RQ3E180GN
4.5V N-Kanal-MOSFET
RQ3E180GN
4.5V N-Kanal-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Palette deckt kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen ab, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0043
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0043
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4511
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
・ Niedriger Einschaltwiderstand.・ Hochleistungsgehäuse (HSMT8)
・ Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
