RQ3L060BG
N-Kanal 60V 15,5A, HSMT8, Power-MOSFET
RQ3L060BG
N-Kanal 60V 15,5A, HSMT8, Power-MOSFET
Der RQ3L060BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC-DC-Wandler eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
15.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.042
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.042
Total gate charge Qg[nC]
2.9
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
