RQ3L070BG
N-Kanal 60V 20A, HSMT8G, Leistungs-MOSFET
RQ3L070BG
N-Kanal 60V 20A, HSMT8G, Leistungs-MOSFET
Der RQ3L070BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich für Primärschalter, Motorantriebe und DC/DC-Wandler eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
20
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0276
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0198
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0276
Total gate charge Qg[nC]
3.9
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
25
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
