RQ3P300BH
Nch 100 V 39 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
RQ3P300BH
Nch 100 V 39 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RQ3P300BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0119
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0156
Total gate charge Qg[nC]
18
Power Dissipation (PD)[W]
32
Drive Voltage[V]
6
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- Small Surface Mount Package
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
