RQ3P300BH (Neues Produkt)
Nch 100 V 39 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET

Der RQ3P300BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3P300BHTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

39.0

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)

0.0156

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0119

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0156

Total gate charge Qg[nC]

18.0

Power Dissipation (PD)[W]

32.0

Drive Voltage[V]

6.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package
  • Pb-free lead plating ; RoHS complian