RQ3P300BH
Nch 100 V 39 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET

Der RQ3P300BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | RQ3P300BHTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

39

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)

0.0156

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0119

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0156

Total gate charge Qg[nC]

18

Power Dissipation (PD)[W]

32

Drive Voltage[V]

6

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Find Similar

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant