Nch 30V 4A Kleinsignal-MOSFET - RQ6E040XN

Die RQ6E040XN ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und eingebauter G-S-Schutzdiode für Schaltanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RQ6E040XNTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Package Size[mm]

2.9x2.8 (t=1.0)

Number of terminal

6

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

4.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.05

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.045

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.035

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.05

Total gate charge Qg[nC]

3.3

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Built-in G-S protection diode
  • Small surface mount package(TSMT6)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant