ROHM Product Detail

RQ6E040XN
Nch 30V 4A Kleinsignal-MOSFET

Die RQ6E040XN ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und eingebauter G-S-Schutzdiode für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ6E040XNTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Number of terminal

6

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

4

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.05

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.045

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.035

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.05

Total gate charge Qg[nC]

3.3

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x2.9 (t=1.0)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Built-in G-S protection diode
  • Small surface mount package(TSMT6)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Produktvideo & Katalog

 
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