Nch 30V 8A Leistungs-MOSFET - RQ6E080AJ

RQ6E080AJ ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und kleinem oberflächenmontierten Gehäuse für Schaltanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RQ6E080AJTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Package Size[mm]

2.9x2.8 (t=1.0)

Number of terminal

6

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

8.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.0157

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0125

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0157

Total gate charge Qg[nC]

16.2

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package (TSMT6)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant