RQ6E080AJ
Nch 30V 8A Leistungs-MOSFET
RQ6E080AJ
RQ6E080AJ
Nch 30V 8A Leistungs-MOSFET
RQ6E080AJ ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und kleinem oberflächenmontierten Gehäuse für Schaltanwendungen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-457T
JEITA Package
SC-95
Number of terminal
6
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.0157
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0125
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0157
Total gate charge Qg[nC]
16.2
Power Dissipation (PD)[W]
1.25
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2.9x2.8 (t=1)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- Small Surface Mount Package (TSMT6)
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
