ROHM Product Detail

RQ6E080AJ
N-Kanal 30V 8A Leistungs-MOSFET

Der RQ6E080AJ ist ein MOSFET mit geringem Einschaltwiderstand und kleinem Gehäuse für die Oberflächenmontage für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ6E080AJTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Number of terminal

6

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

8

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.0157

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0125

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0157

Total gate charge Qg[nC]

16.2

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x2.9 (t=1.0)

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Eigenschaften:

  • Geringer Einschaltwiderstand
  • Kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage (TSMT6)
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
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