ROHM Product Detail

RQ7C065UN (Neues Produkt)
N-Kanal 20V 6,5A, TSMT8, Power-MOSFET

Der RQ7C065UN ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage (TSMT8), der sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandleranwendungen eignet.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ7C065UNTR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

6.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

0.029

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)

0.024

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.016

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.029

Total gate charge Qg[nC]

11

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

1.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x3.0 (t=0.85)

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Eigenschaften:

  • Geringer Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform.
  • Halogenfrei
  • Integrierte G-S Schutzdiode
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