ROHM Product Detail

RQ7E075XN (Neues Produkt)
N-Kanal 30V 7.5A, TSMT8, Power MOSFET

Der RQ7E075XN ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand in einem kompakten oberflächenmontierbaren Gehäuse (TSMT8), geeignet für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler-Anwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ7E075XNTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

7.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.017

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.019

Total gate charge Qg[nC]

6.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x3.0 (t=0.85)

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Eigenschaften:

  • Geringer Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform.
  • Halogenfrei
  • Integrierte G-S-Schutzdiode
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