RQ7E100XN (Neues Produkt)
N-Kanal 30 V 10 A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
RQ7E100XN (Neues Produkt)
N-Kanal 30 V 10 A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RQ7E100XN ist ein MOSFET mit geringem Einschaltwiderstand in einem kompakten oberflächenmontierbaren Gehäuse (TSMT8), geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.01
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.01
Total gate charge Qg[nC]
12.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Oberflächenmontagegehäuse (TSMT8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
- Integrierte G-S-Schutzdiode
