RQ7E110AJ
N-Kanal 30V 11A Leistungs-MOSFET im mittleren Leistungsbereich
RQ7E110AJ
N-Kanal 30V 11A Leistungs-MOSFET im mittleren Leistungsbereich
Der RQ7E110AJ ist ein MOSFET mit geringem Einschaltwiderstand und kleinem Gehäuse für die Oberflächenmontage für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
11
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.0091
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0068
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0091
Total gate charge Qg[nC]
22
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage (TSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
