RQ7E110AJ
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 11 A

RQ7E110AJ ist ein kleines Anbau-MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ7E110AJTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size [mm]

3x2.8 (t=0.85)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

11.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.0091

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0068

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0091

Total gate charge Qg[nC]

22.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • Small Surface Mount Package (TSMT8).
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant