RQ7E110AJ
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 11 A
RQ7E110AJ
RQ7E110AJ
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 11 A
RQ7E110AJ ist ein kleines Anbau-MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
11
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.0091
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0068
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0091
Total gate charge Qg[nC]
22
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- Small Surface Mount Package (TSMT8).
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
