RQ7G080BG
Nch 40 V 8 A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
RQ7G080BG
Nch 40 V 8 A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RQ7G080BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0155
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0127
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0155
Total gate charge Qg[nC]
5
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Trr (Typ)[ns]
27
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- Small Surface Mount Package (TSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
Produktvideo & Katalog
