RQ7G080BG
N-Kanal 40V 8A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
RQ7G080BG
N-Kanal 40V 8A, TSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RQ7G080BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der sich zum Schalten eignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0155
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0127
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0155
Total gate charge Qg[nC]
5
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
27
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
