Models
- RS1E130GN SPICE Model
- RS1E130GN Thermal Model (lib)
Characteristics Data
- RS1E130GN ESD Data
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Grade
Standard
Package Code
HSOP8S (5x6)
Package Size[mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
35.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0117
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0089
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0117
Total gate charge Qg[nC]
3.9
Power Dissipation (PD)[W]
22.0
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4504
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150