RS1E150GN
4,5-V-Ansteuerung, N-Kanal-MOSFET
RS1E150GN
4,5-V-Ansteuerung, N-Kanal-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozesstechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Ein breites Sortiment, das kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen umfasst, um den verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0088
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0088
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
22
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4503
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
