RS1E170GN
Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 40 A

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS1E170GNTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSOP8 (Single)
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSOP8S (5x6)

Package Size [mm]

5x6 (t=1.1)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

40.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0067

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0051

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0067

Total gate charge Qg[nC]

5.9

Power Dissipation (PD)[W]

23.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4501

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High Power Package (HSOP8)
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Halogen Free
  • 100% Rg and UIS Tested