RS1E170GN
N-Kanal-30-V-40-A-Power-MOSFET
RS1E170GN
N-Kanal-30-V-40-A-Power-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für ein breites Anwendungsspektrum nützlich sind. Eine breite Palette umfasst kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0051
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0067
Total gate charge Qg[nC]
5.9
Power Dissipation (PD)[W]
23
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4501
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungspaket (HSOP8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
