ROHM Product Detail

RS1E180BN
N-Kanal 30V 60A Mittelleistungs-MOSFET

RS1E180BN ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Leistung in einem kleinen Mold-Gehäuse für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS1E180BNTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSOP8 (Single,TB)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

60

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0049

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0035

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0049

Total gate charge Qg[nC]

23

Power Dissipation (PD)[W]

25

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4016

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x5.0 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Niedriger Einschaltwiderstand.
  • Leistungsstarkes, kleines Mold-Gehäuse (HSOP8)
  • Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
  • Halogenfrei.
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