RS1E200BN
Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 68 A
RS1E200BN
RS1E200BN
Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 68 A
MOSFET RS1E200BN mit Mittelleistung ist für Schaltnetzteile geeignet.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8S (5x6)
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
68
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0038
Total gate charge Qg[nC]
29
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4010
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
5x6 (t=1.1)
Eigenschaften:
・ Low on - resistance.・ High Power small mold Package (HSOP8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free
