RS1E200BN
N-Kanal 30V 68A Leistungs-MOSFET
RS1E200BN
N-Kanal 30V 68A Leistungs-MOSFET
Der Middle Power MOSFET RS1E200BN ist für Schaltnetzteile geeignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
68
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0038
Total gate charge Qg[nC]
29
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4010
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
・ Geringer Einschaltwiderstand.
・ Kleines HSOP8-Leistungsgehäuse
・ Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
