RS1E200GN
N-Kanal 30V 57A Leistungs-MOSFET
RS1E200GN
N-Kanal 30V 57A Leistungs-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden mit Hilfe von Mikroprozessortechnologien als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
57
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0047
Total gate charge Qg[nC]
7.8
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4509
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungspaket (HSOP8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
