RS1E281BN
Nch 30V 80A Leistungs-MOSFET
RS1E281BN
Nch 30V 80A Leistungs-MOSFET
RS1E281BN ist ein Hochleistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und kleinem Mold-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0023
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0017
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0023
Total gate charge Qg[nC]
50
Power Dissipation (PD)[W]
30
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- High Power small mold Package (HSOP8).
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
- Halogen Free.
Produktvideo & Katalog
