RS1E301GN
Nch 30V 80A Leistungs-MOSFET
RS1E301GN
Nch 30V 80A Leistungs-MOSFET
Der RS1E301GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0022
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0017
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0022
Total gate charge Qg[nC]
18.5
Power Dissipation (PD)[W]
33
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High power package (HSOP8)
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
