RS1E301GN
N-Kanal 30V 80A Leistungs-MOSFET
RS1E301GN
N-Kanal 30V 80A Leistungs-MOSFET
RS1E301GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich zum Schalten eignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0022
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0017
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0022
Total gate charge Qg[nC]
18.5
Power Dissipation (PD)[W]
33
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Leistungsstarkes Gehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
