RS1E301GN
Nch 30V 80A Leistungs-MOSFET

Der RS1E301GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS1E301GNTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Single)
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSOP8S (5x6)

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1.1)

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

80.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0022

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0017

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0022

Total gate charge Qg[nC]

18.5

Power Dissipation (PD)[W]

33.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power package (HSOP8)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • Halogen free
  • 100% Rg and UIS tested