RS1E350GN
N-Kanal 30V 80A Leistungs-MOSFET
RS1E350GN
N-Kanal 30V 80A Leistungs-MOSFET
Power-MOSFETs werden mit Hilfe von Mikroprozessortechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Palette deckt kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen ab, um den verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.00192
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00148
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00192
Total gate charge Qg[nC]
32.7
Power Dissipation (PD)[W]
39
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
