RS1G120MN
N-Kanal 40V 34A Power MOSFET
RS1G120MN
N-Kanal 40V 34A Power MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um den verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
34
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0116
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0156
Total gate charge Qg[nC]
4.4
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
