RS1G120MN
Nch-Leistungs-MOSFET 40 V 34 A
RS1G120MN
RS1G120MN
Nch-Leistungs-MOSFET 40 V 34 A
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8S (5x6)
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
34
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0116
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0156
Total gate charge Qg[nC]
4.4
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
5x6 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- High power package (HSOP8)
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
