RS6G120BG
Nch 40V 210A, HSOP8, Leistungs-MOSFET
RS6G120BG
Nch 40V 210A, HSOP8, Leistungs-MOSFET
Der RS6G120BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8S (5x6)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
210
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00103
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00174
Total gate charge Qg[nC]
34
Power Dissipation (PD)[W]
104
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High power package (HSOP8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
