RS6G120BG
N-Kanal 40V 210A, HSOP8, Power-MOSFET
RS6G120BG
N-Kanal 40V 210A, HSOP8, Power-MOSFET
Der RS6G120BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, das sich für Schaltanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
210
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00103
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00174
Total gate charge Qg[nC]
34
Power Dissipation (PD)[W]
104
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Produktvideo & Katalog
