RS6N120BH
N-Kanal 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
RS6N120BH
N-Kanal 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
Der RS6N120BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich für Schaltanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
80
Drain Current ID[A]
135
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0035
Total gate charge Qg[nC]
33
Power Dissipation (PD)[W]
104
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
68
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Produktvideo & Katalog
