RS6R060BH
Leistungs-MOSFET mit Nch 150V 60A, HSOP8

RS6R060BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im High-Power-Gehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS6R060BHTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Single)
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8S (5x6)

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

150

Drain Current ID[A]

60

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)

0.0179

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0167

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0179

Total gate charge Qg[nC]

30

Power Dissipation (PD)[W]

104

Drive Voltage[V]

6

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power package(HSOP8)
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • Halogen free
  • 100% Rg and UIS tested
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