RS6R060BH
N-Kanal 150 V 60 A, HSOP8, Leistungs-MOSFET
RS6R060BH
N-Kanal 150 V 60 A, HSOP8, Leistungs-MOSFET
Der RS6R060BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchgangswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich für Schaltanwendungen eignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
60
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0179
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0167
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0179
Total gate charge Qg[nC]
30
Power Dissipation (PD)[W]
104
Drive Voltage[V]
6
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Geringer Durchgangswiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet