RS7E200BG
N-Kanal 30V 390A, DFN5060-8S, Leistungs-MOSFET
RS7E200BG
N-Kanal 30V 390A, DFN5060-8S, Leistungs-MOSFET
Der RS7E200BG ist ein Power MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN5060-8S
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
390
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.00075
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00053
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00075
Total gate charge Qg[nC]
60
Power Dissipation (PD)[W]
180
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
86
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (DFN5060T8LSHAAE)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
