RS7G200CH (Neues Produkt)
N-Kanal 40V 445A, DFN5060-8S, Power MOSFET
RS7G200CH (Neues Produkt)
N-Kanal 40V 445A, DFN5060-8S, Power MOSFET
Der RS7G200CH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN5060-8S
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
445
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.00086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00056
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00086
Total gate charge Qg[nC]
67
Power Dissipation (PD)[W]
216
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
90
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Hochleistungsgehäuse (DFN5060T8LSHAAE)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
