RS7N200BH
N-Kanal 80V 230A, DFN5060-8S, Power-MOSFET
RS7N200BH
N-Kanal 80V 230A, DFN5060-8S, Power-MOSFET
Der RS7N200BH ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN5060-8S
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
80
Drain Current ID[A]
230
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0021
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0017
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0021
Total gate charge Qg[nC]
45
Power Dissipation (PD)[W]
180
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
78
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Geringer Durchlasswiderstand
- Leistungsstarkes Gehäuse (DFN5060T8LSHAAE)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
