RS7P200BM (Neues Produkt)
Nch 100 V 200 A, DFN5060-8S, Wide-SOA Power MOSFET
RS7P200BM (Neues Produkt)
Nch 100 V 200 A, DFN5060-8S, Wide-SOA Power MOSFET
RS7P200BM ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Hot-Swap-Controller (HSC).
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN5060-8S
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
200
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0031
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0031
Total gate charge Qg[nC]
72
Power Dissipation (PD)[W]
217
Drive Voltage[V]
10
trr (Typ.)[ns]
77
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (DFN5060T8LSHAAE)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Breite-SOA
