RSJ650N10
4 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RSJ650N10TL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-263 (D2PAK)

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

JEITA Package

SC-83

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

65

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.007

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.007

Total gate charge Qg[nC]

260

Power Dissipation (PD)[W]

100

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

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Eigenschaften:

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